실리콘계 음극재용 탄소지지체 제조공정

• 열처리공정 : 고비표면적 프리미엄 활성탄소 제조를 위한 저온 열처리 공정 및 고경도 고전도성 다공성 탄소소재 제조를 위한 고온 열처리 공정
• 분쇄/분급 공정 : 수요처에 맞는 입도 제어를 위한 분쇄/분급 공정
• 활성화 공정 : 물리적/화학적 활성화를 통해 다양한 스팩의 다공성 탄소소재 제조

• 다공성 탄소의 기공이 실리콘 증착 표면을 제공하고, 실리콘의 팽창을 제어해주는 역할을 함
• 기공 제어를 통해 실리콘 증착량을 컨트롤하여 고용량/고출력 음극소재 구현이 가능함
• 실리콘 부피팽창을 제어하여 전극의 안정성도 확보할 수 있음

• 고객의 니즈에 맞춘 실리콘계 음극제 제공

Type1

Type2

Type3

• 탄소 지지체 및 실리콘 로딩 기술 개발
• 탄소 지지체-실리콘 복합체의 구조 평가

실리콘 증착 전 후 비교 데이터

실리콘 전극 두께 변화 측정 데이터

• 탄소 지지체 및 실리콘 복합체의 전기화학 특성 평가

Cyclic voltammetry(CV) 테스트 및 충방전 평가 결과 데이터

실리콘 복합체 음극재 초기용량 및 초기효율 평가 결과

다공성 탄소 기반 SI 초기용량 및 초기효율 평가 결과

증착률 : 28.9%

실리콘 복합체 음극재의 SI 증착율(%) 평가 결과

팽창율 : 15.1%

충방전 전/후 전극 팽창율 평가 결과